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                道閘遙控器需防止擊穿電壓

                    這項明公開了一種用于柵欄門的裝置,其設計用于控制車輛通過通道的行駛。本發明采用屏障臂、外殼、電機和變速箱、旋轉編碼器和扭矩限制器組件。扭矩限制器總成包括輪轂、心軸、制動盤、轉子和道閘遙控器壓蓋螺母。扭矩限制器總成安裝在電機和變速箱上,并連接到屏障臂上。

                    扭矩限制器總成提供足夠的摩擦力來旋轉屏障臂,還通過防止任何不必要的旋轉來保護變速箱和電機的內部齒輪和連桿,避免昂貴的萬能電子桿遙控器維修和更換。如果外力使屏障臂旋轉,旋轉編碼器與控制器配合,會立即識別屏障臂的位置,并進一步充當限位開關,向電機發送信號,在屏障臂就位時停止。研究了n+-GaAs/p+-InGaP/n--GaAs高勢壘柵場效應晶體管中柵電流和擊穿行為的溫度依賴性。

                    由于存在n+-GaAs/p+-InGaP/n--GaAs高勢壘柵結構,該器件顯示出高擊穿特性。此外,我們發現在T=300到420 K時,關態擊穿電壓對升降桿遙控器主要由溝道和柵極擊穿決定,并且在此溫度范圍內柵極電流IG主要來自隧穿機制。然而,當溫度升高到420K以上時,IG受到襯底漏電流的嚴重影響,并且{BV}DS僅由柵極擊穿決定。雙金屬肖特基勢壘GAA MOSFET的高截止頻率:193GHz。DM-GS-SB-GAA MOSFET的最高離子/斷開比:9.58×104。DM-GS-SB-GAA MOSFET的高跨導:68.2μS。低功率VDS=50mV,抑制gm3。輕摻雜溝道(NA=1×1016cm3),雙金屬柵合并。
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